RSiC-WC 复相陶瓷的性能及烧结机理 (2011年)

以不同配比的粗、细SiC粉体和WC粉体为原料,在2 200 ℃以上烧结得到RSiC-WC复相陶瓷。采用 XRD、SEM 和 EDS对复相陶瓷的物相组成和微观形貌进行分析,并测定其开口气孔率、抗弯强度和电阻率。结果表明:RSiC-WC 复相陶瓷中以 6H-SiC 和 WC 为主晶相,存在少量 W2C 晶相。烧结产物中 SiC 颗粒再结晶程度良好,WC在烧结温度下与SiC晶粒润湿性好。RSiC-WC复相陶瓷的最低开口气孔率、最高抗弯强度和最低电阻率分别为19.2%、109MPa和15 mΩ cm。体系中SiC