不同类型InAlAs缓冲层上基于GaAs的2.6μmInGaAs光电探测器的暗电流特性

根据给定的文件信息，本篇文章主要研究了基于GaAs的In0.83Ga0.17As光电探测器（PDs）在不同类型的InAlAs缓冲层影响下的暗电流特性。该研究针对的是2.6微米波段的探测器，重点分析了连续梯度型或固定组分InAlAs缓冲层对器件性能的影响，详细探讨了不同温度下光电探测器的暗电流特性，并在300K的温度下测量了光电流，提取了探测器的探测率。研究结果显示，采用不同缓冲层结构的两种GaAs基PDs在不同温度下展现出不同的暗电流行为，其中固定组分缓冲层在室温附近的性能虽然不如其他设备，但是其性能与基于InP的设备相当，表明基于GaAs的PDs对于许多低端应用来说是一个有前景的候选者。 从给出的信息中可以提取出以下知识点： 1. 短波红外（SWIR）波段的光谱成像应用重要性日益增加，尤其是在地球观测、遥感和环境监测等方面。 2. 三元III-V族化合物半导体InGaAs光电探测器（PDs）及其焦平面阵列（FPAs）因具有良好的光学和电学性能，在SWIR波段被广泛使用。 3. 研究中提到的探测器具有2.6微米的截止波长，这一波段的探测器在许多光谱成像应用中很有用，尤其是在需要响应更长波长的场合。 4. 探测器采用了基于GaAs的材料系统，具体是In0.83Ga0.17As，这种材料的特性使其可以工作在高达2.6微米的波长范围。 5. 研究涉及了不同类型的InAlAs缓冲层，具体包括连续梯度型和固定组分型两种，它们对探测器的性能有不同的影响。 6. 暗电流特性是探测器的关键性能指标之一，特别是在评估探测器性能时，其在不同温度下的表现能够反映器件的性能。 7. 该研究中，不同温度下的暗电流特性分析结果表明，采用固定组分InAlAs缓冲层的GaAs基探测器在室温附近的性能虽不如其他高端设备，但在低端应用中性能相当。 8. 研究还提到了探测率（detectivity）的提取，探测率是衡量光电探测器性能的一个重要参数，它表示探测器转换光信号到电信号的能力。 该研究提供了关于基于GaAs的InGaAs光电探测器在不同缓冲层设计下的性能评估，这对于未来设计和制造更高性能探测器具有重要的指导意义。同时，该研究也指出了GaAs基探测器在特定应用领域（如成本敏感的低端应用）的潜在优势。