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目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息技术的不断进步,对于光信息存储、光数据传输等应用,需要有大量低成本的光电集成电路(OEIC)投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术,在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上,将光电子器件与电信号处理电路集成在一起,无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅基集成电路技术主要可分为双极bipolar、CMOS及BiCMOS工艺。本节介绍利用双极工艺实现的硅
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目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然
而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤入户和板级光互
连等并不适合。随着信息技术的不断进步,对于光信息存储、光数据传输等应用,需要有大量低成本的光电集
成电路(OEIC)投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术,在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小
调整的基础上,将光电子器件与电信号处理电路集成在一起,无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅基集成
电路技术主要可分为双极bipolar、CMOS及BiCMOS工艺。本节介绍利用双极工艺实现的硅
目前,长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的,其传输速率已经超过了40 Gb/s,然而,Ill-V族
材料的光接收器和OEIC价格昂贵,对于短距离数据传输的应用,例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息
技术的不断进步,对于光信息存储、光数据传输等应用,需要有大量低成本的光电集成电路(OEIC)投入使用。利用普通的
硅基集成电路生产技术,在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上,将光电子器件与电信号处理电路集成在
一起,无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅基集成电路技术主要可分为双极bipolar、CMOS及BiCMOS工艺。本节介绍利
用双极工艺实现的硅基光电探测器,下节介绍CMOS和BiCMOS工艺实现的硅基光电探测器。在介绍完标准硅基集成电路工艺
实现的光电探测器后,我们通过改变衬底浓度或是对标准工艺进行适当改正,以试图提高这些光电探测器的性能。
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