为了制备液晶 /蒙脱土纳米复合材料,以4-(6-胺基己氧基)-4′-氰基联苯(Ⅰ)作为插层剂对蒙脱土进 行有机化处理。 FT-IR、X RD、T GA和TEM测试表明,有机插层剂已进入蒙脱土的层间,层间距由1.24 nm增加到 2.47 nm,且改变了层间微环境,有力地增强了液晶分子和蒙脱土的相容性。
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