适用于万兆以太网10GBASE-X的全集成单片CMOS压控振荡器 (2004年)

给出了一个适用于万兆以太网IEEE802.3ae 10GBASE-X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路。该压控振荡器采用TSMC0.18μmCMOS混合信号工艺设计制造，由四级差分延时单元和输出驱动电路组成，芯片总面积为0.3×0.4mm2。芯片采用1.8V单电源供电，测得带直接耦合差分50Ω负载时的总功耗为78mW，单端输出功率为10.2dBm，振荡频率在2.8～4.0GHz有非常好的压控线性度，在振荡器中心频率为3.125GHz时的单边带相位噪声为-96dBc/Hz@10MHz。