由于具有密集而又可重复的阵列结构，半导体存储器或许是摩尔定律预测的最重要例证。Renesas公司的4Gb AG（辅助门）-AND闪速存储器（闪存）是该公司的首款基于90-nm工艺的器件，尽管仍然是一项具有重要意义的成就，但是在这方面给人的印象不如其名称的含义来得深刻 。该 芯片采用MLC（多层单元）技术，每个单元可以存储2位信息；然而，这一事实仍然意味着该器件单单在存储器阵列中就包含2万亿个晶体管，另外还有其它外围电路。当Renesas公司在从180nm到130nm的工艺转换中，把常规的AND体系结构改为AG体系结构，从而生产出单芯片1Gb存储器和双芯片2Gb存储器，单元尺寸缩小了三分
