文章标题“65 nm双阱和三阱CMOS技术对重离子诱导的单事件多次瞬变（SEMT）的角度依赖性”和描述中提到，研究重点在于65纳米制程技术中，双阱和三阱CMOS技术在面对重离子辐射时，产生的单事件多次瞬变现象（Single-event multiple transients, 简称SEMT）与入射角度之间的关系。研究的目的是为了探究在不同CMOS技术架构下，重离子以不同角度入射时，对集成电路内部产生SEMT的影响。
内容部分提到的关键词包括“charge sharing”（电荷共享）、“characterization”（特性表征）、“Single-event multiple transients (SEMTs)”和“angular dependency”（角度依赖性）。通过这些关键词，我们可以深入探讨文章中的主要概念。
“charge sharing”指的是在极小的晶体管间距下，一次重离子撞击可能会同时影响多个晶体管，导致它们之间共享电荷的现象。随着晶体管尺寸的不断缩小，最小晶体管间距的极端减小导致多个晶体管经常受到单个离子的撞击。电荷共享现象是由于多个晶体管在极小的空间内，一个重离子撞击产生的电荷在晶体管间重新分布，从而影响多个晶体管的行为。
“characterization”意味着在本研究中，研究者试图对SEMT进行详细的实验特性描述。实验中，研究者通过重离子实验对SEMT的角度依赖性进行表征，从而揭露其物理机制和特性差异。
“Single-event multiple transients (SEMTs)”是指在组合逻辑电路中，由于单个重离子撞击引起的多个瞬态事件。在CMOS技术中，由于晶体管间距的缩小，一次重离子撞击不仅会触发一个单粒子翻转（single-event upsets, SEUs），而是可能引发多个晶体管的瞬态事件，导致电路的多个节点受到影响。
“angular dependency”指的是SEMT的特性随着重离子入射角度的变化而变化。文章指出，通过重离子实验的特征表征，研究者发现，重离子的倾斜入射会导致65纳米bulk CMOS技术中出现单次事件五次瞬变现象。此外，双阱和三阱技术在SEMT的特性上表现不同。
文章还指出，在此之前，虽然对SEMT的物理机制有所揭示，特别是扩散电荷收集和寄生双极效应引起的电荷收集是引起SEMT的主要机制，但对SEMT的实验表征却很少有报道。
在测试结构和实验细节部分，文章提到了随着CMOS技术的缩放，电荷共享变得越来越普遍，并通常会导致组合逻辑电路中出现SEMT。研究中采用了特定的实验设置来表征SEMT的特性，并探讨了重离子入射角度对SEMT的影响。
结合以上信息，可以总结出，本研究针对的是65纳米CMOS技术制程中单个重离子撞击引起的电路异常行为（SEMT），特别是这一现象与入射角度的关系，以及双阱和三阱CMOS技术在其中表现出的特性差异。这些研究对于理解和改进极小尺度集成电路在太空和高放射性环境中的可靠性具有重要意义。研究结果对于设计更鲁棒的芯片和提高集成电路对抗空间和地面重离子辐射影响的能力有着指导性价值。
