全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR） 推出新一代绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 技术平台。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装，并采用IR新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值，加上1.7V典型VCE（ON） 和10μs短路额定值，能够减少功耗，有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显其数十年来致力提升功
国际整流器公司（IR）推出的全新第八代1200V IGBT平台标志着功率半导体技术的又一重大进步。IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种混合型半导体器件，广泛应用于电力转换和控制领域，特别是对于高电压、大电流的应用场合，如工业设备、电动车、电源系统和电机驱动等。
第八代（Gen8）1200V IGBT平台采用了IR的创新沟道栅极场截止技术，这一技术提升了器件的性能和效率。1200V的额定电压意味着这些器件能够在高压环境下工作，同时保持良好的稳定性和安全性。这一平台特别适用于符合TO-247封装标准的工业应用，这是一种常见的大功率半导体器件封装形式，允许较高的电流通过且利于散热。
Gen8组件提供广泛的电流额定值范围，从8A到60A，这使得该平台能够适应各种不同的负载需求。其1.7V的典型VCE（ON）表明在导通状态下器件的电压损失较小，从而降低了功耗，提高了整体系统的能源效率。此外，10μs的短路额定值则确保了在发生短路情况下的耐用性，增强了系统保护能力。
IR亚太区销售副总裁潘大伟强调，IR通过持续的技术创新，致力于提升功率电子技术的性能。他提到，Gen8 IGBT平台的目标是实现电动马达的全变频，以提高电能利用效率，促进环保。新平台的软关断特性减少了电磁干扰和过电压问题，提高了系统可靠性。更窄的参数分布确保了并联IGBT的电流均衡，而薄晶圆技术则优化了热阻，允许器件在175°C的高温下运行，进一步提升了热管理性能。
IR的第八代1200V IGBT平台集低功耗、高功率密度、卓越耐用性和高可靠性于一身，是针对工业和节能应用的理想解决方案。这些器件的批量生产已开始，并符合RoHS标准，这意味着它们不含有害物质，符合环保要求。这一系列新产品展示了IR在功率半导体领域的领先地位，以及对提升能源效率和可持续发展的承诺。
