GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化 (2005年)

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用，计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化。结果表明，电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小。一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场，可忽略不记，但当n取较大值（10 19/cm3以上）时，即材料被重掺杂时，激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略。