高压下GaAs的电子结构的从头计算 (2009年)

应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构，得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质，并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8。65 GPa，与实验值符合得很好，结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质。