本文报道了用离化原子团束(ICB)技术在GaAs(100)上外延ZnSe单晶薄膜的研究结果。采用单源喷发并用电子能谱分析了外延薄膜的成分。用互光衍射和RHEED研究了外延ZnSe单晶薄膜结构和外延质量。得到了摆动曲线半高宽为133",并具有原子水平平整程度的ZnSe(100)单晶薄膜。
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