我们已经比较研究了非对称p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -Si双异质结发光二极管的电致发光（EL）性能（LED）生长在不同的晶格失配基板上。 I–V曲线测量显示出清晰的整流特性，p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN和p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n +的阈值电压分别为3.8和6 V -Si双异质结，分别。在小晶格不匹配的n + -GaN衬底上生长的p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN双异质结观察到强烈的紫光-紫外EL发射，没有观察到深能级发射。相比之下，在大型晶格不匹配的n + -Si衬底上生长的p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -Si双异质结观察到主要的可见光发射带和弱的紫外线发射峰。两个LED之间的差异是由于在不同晶格失配基板上生长的MgZnO和ZnO层的质量不同。
