IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终止”概念(也有称为“软穿通”或“轻穿通”)降低晶圆n衬底的厚度。
此外，带有单片二极管的IGBT概念也经常被探讨。首先投产的逆导型IGBT是针对电子镇流器应用进行优化的，被称之为“LightMOS”。本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。
TrenchStop和RC-IGBT技术
在采用的TrenchStop技术中，沟槽栅结合了场终止概念(见图1中的IGBT)。由于发射极(阴极)附近的
【采用新型IGBT优化软开关应用中的损耗】的知识点解析
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子元件，广泛应用于电力转换和控制电路中。近年来，IGBT技术的发展着重于降低损耗和提高效率，特别是在软开关应用中。软开关技术允许IGBT在接近零电压或零电流的状态下切换，从而显著减少开关过程中的能量损失。
文章指出，IGBT技术进步的核心在于沟槽栅技术和场终止概念。沟槽栅设计通过优化垂直方向的载流子浓度，能够降低导通损耗。而场终止技术，又称“软穿通”或“轻穿通”，通过在晶圆n衬底上引入额外的掺杂层，降低了晶圆厚度，进一步减小了导通和关断损耗。这种技术的发展，如TrenchStop，结合了沟槽栅和场终止，使得IGBT的性能得到显著提升。
文中提到了集成续流二极管（FWD）的1200V RC-IGBT，这是一种逆导型IGBT，特别适合于软开关应用。RC-IGBT的沟槽栅结构经过优化，降低了饱和压降Vce(sat)，使其更适合于要求低损耗的场合。此外，二极管部分的n掺杂背面阴极与p发射极的结合，提供了高效的反向恢复特性，有利于软开关操作。
超薄晶圆技术是降低损耗的关键。通过将晶圆厚度减至120um，新型1,200V RC-IGBT能进一步降低导通电压和关断损耗，这对于高效率应用尤其有利。不过，这种薄晶圆制造需要复杂的技术，包括特殊的晶圆处理设备和工艺。
新型RC2-IGBT是英飞凌推出的一款产品，它在TrenchStop技术基础上，实现了超低饱和压降和高效集成二极管。这种器件针对软开关应用进行了优化，可以显著降低总损耗，减小散热器需求，同时提高了最大结温，适应更严苛的工作环境。
总结来说，新型IGBT技术，尤其是RC-IGBT和RC2-IGBT，通过沟槽栅优化、场终止技术以及超薄晶圆工艺，有效地降低了软开关应用中的损耗，提升了整体系统效率，并增强了器件的耐热性能。这些进展对于推动能源效率的提升和电力电子设备的小型化具有重要意义。
