采用一步射频磁控溅射法在室温获得了 CIGS薄膜，研究了不同的真空无硒退火温度（150～350℃）对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外一可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明，室温下制备的CIGS薄膜为非晶态，随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低，光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相，CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善，薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提
