硅单晶中的氢催化氧沉淀* (1998年)

红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀。氧含量为6×1017 atoms·cn-3的直拉硅（CZ-Si）经氢气氛下区熔再成晶后，问隙氧浓度下降约20倍。红外光谱测量1 230cm-1吸收带结果表明，650～850℃热处理同样的时间，区熔后样品比原直拉硅样品含有更多的氧沉淀，这是氢催化的结果。