利用离子注入技术合成了Ge纳米晶（nc-Ge）嵌入的SiO2纳米复合薄膜。 可以通过改变锗离子注入过程中的注入能量和剂量来调整nc-Ge在SiO2基体中的分布曲线。 因此，可以设计nc-Ge / SiO2纳米复合薄膜的有效介电常数。 纳米复合薄膜的有效金属氧化物半导体导通（MOS）电容已使用子层模型和Maxwell-Garnett有效介质近似值进行了计算，并考虑了与nc-Ge纳米尺寸相对应的降低的介电常数。 另一方面，已经对基于nc-Ge / SiO 2薄膜的MOS结构进行了电容电压测量，以通过实验提取电容。 建模和测量结果显示出良好的一致性，表明可以通过能量和剂量控制的Ge +注入技术轻松实现纳米复合材料介电工程。
