报告了具有衬底偏置的新型高压硅LDMOS结构(SB S-LDMOS)。 当将正衬底偏压施加到SB S-LDMOS时,垂直导电路径被双p(-)/ n(+)层衬底阻挡。 漂移区中的整体电场由于衬底偏置而重新分布,并且漏极下的耗尽区所维持的垂直电压显着降低,这对于薄型漂移区功率器件而言尤其重要。 数值结果表明,与传统的LDMOS相比,该器件的击穿电压提高了94%,同时保持了较低的导通电阻。
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