在本文中，我们演示了一种新的简单方法，即通过使用NIL和有角度的物理气相沉积（PVD），可以在大面积内实现尺寸受控的大型纳米通道，从而将尺寸减小至约50 nm。 使用NIL制造聚合物SU-8纳米光栅基板。 在NIL之后，一步一步使用氧化硅的斜角离子束溅射，以减小SU-8刻印沟槽的横截面并同时密封通道。 在此过程中，任何沟槽的侧壁都会遮盖蒸发，大部分氧化硅膜将沉积在沟槽顶部的侧壁上，因此，阴影区域将得到保护，并最终在基板上形成为密封的纳米通道。 该Craft.io的优势在于，可以通过控制沉积和压印深度简单地调整线宽，从而为高分辨率和低成本制造纳米流体芯片提供了另一种解决方案。 该方法适用于大多数衬底和覆盖层，因此，它为减少各种材料的纳米图案的尺寸和控制尺寸提供了一种新的方法。
