NAND Flash存储器管理算法的设计及实现.docx
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NAND Flash 存储器管理算法的设计
及实现
2010-11-22 11:06:14
作者：魏韬 林平分 孙丽华 魏宁 来源
:
国外电子元
器件
关键字：Flash NAND 存储器 管理算法 映射 物理地址
O 引言
Flash 是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由
于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在 U 盘、SD
卡、SSD 硬盘等各种移动存储设备中得到了广泛的应用。本文给出了一款性能
优异、成本低廉可用于 SD 卡的 NAND ash
控制芯片的设计方法。(本方法也
同样适用于其他存储设备。文中集中探讨了一种高效管理物理块的算法，包括
逻辑物理地址映射以及 spare 区的定义，另外，还有双缓冲器优化读写的方法
等。
1 Flash 简介
1．1 SLC ash 与 MLC ash 的比较
从架构上，ash 可以分为 SLC(Single-Level-Cell) ash 和 MLC(MulTI-
Level-Cell)ash 两种。和 SLC Flash 相比较，MLC ash 的优点是面积小、
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