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NAND Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件,容易出现位反转现象,同时在使用中可能会有坏损单元。数据写入必须在李白的区块或者擦除后的区块巾进行,其底层技术要求以块为单位进行擦除(将“Oxff”写入到要擦除的存储块中),再按页写入。Flash存储器的擦除次数是有限的,一般是100000次。当某块执行过度的擦除操作后,这一块的存储空间将会变为“只读”状态,不能再写入数据。根据以上特点,为了避免某些块的过度操作,而导致存储卡使用寿命降低,设计专门针对Flash存储器的文件系统是必要的
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xxxiun
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