DDR3 学习的核心在于了解其技术和特性，这对于布线设计和系统理解至关重要。DDR3 内存相较于 DDR2 在速度和效率上有所提升，同时引入了诸多优化技术，如 On-Die Termination (ODT) 内部终结技术。
ODT 技术是为了应对 DDR2 及更高频率内存中信号反射和干扰问题而设计的。传统的主板终结方法在高频信号下效果不佳，而 DDR2 及以后的内存芯片内部集成了终结电阻，即 ODT。这种技术将终结电路移至内存芯片内部，通过动态管理每个内存引脚的信号终结，提高了信号的稳定性。ODT 阻抗值可以是 0Ω、50Ω、75Ω、150Ω 等，根据系统干扰程度自动调整，降低了内存延迟并节约了主板成本。
ODT 的工作模式包括断电模式和其他模式（如激活模式和备用模式）。在 ODT 切换过程中，tAONPD 和 tAOFPD 延迟确保了快速响应，使得内存能在不影响性能的情况下高效节能。ODT 技术的实施依赖于 EMRS 扩展模式寄存器，它通过一个控制引脚控制 ODT 的阻抗状态。
内存的基本单位是位（bit），一条内存条通常由64或128个数据位组成。内存颗粒可以是4位、8位或16位。补位技术用于处理有缺陷的颗粒，通过正面和反面颗粒的正常位组合，形成完整的位数。这种内存被称为补位内存条，但性能可能低于完整颗粒的内存。
“专用内存”或“次品内存”，比如补位内存，常用于特定芯片组的主板上，价格相对较低，但混插使用可能影响整体性能。这类内存往往使用次级颗粒，例如 Micron（美光）颗粒，以降低成本。
DDR3 的布线设计需考虑 ODT 技术的影响，确保信号质量。良好的布线能够降低信号损失和干扰，提高系统稳定性和内存性能。理解 DDR3 的工作原理和相关技术对于硬件工程师来说非常重要，这有助于设计出更高效、可靠的系统。
