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DDR布线规则与过程
DDR布线规则与过程
DDR3
布线规则
布线设置
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讲述DDR颗粒从布局到布线的一些实践经验，有效的帮助初学者提高对高速芯片布局布线的理解。
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DDR布线通常是一款硬件产品设计中的一个重要的环节，也正是因为其重要性，网络上也有大把的人在探讨DDR布线规则，有很多同行故弄玄虚，把DDR布线说得很难，我在这里要反其道而行之，讲一讲DDR布线最简规则与过程。
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双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRAM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发 沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz 的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。 DDR 不支持3.3V 电压的LVTTL，而是支持2.5V 的SSTL2标准
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DDR3 在布线中十分重要，它必须考虑阻抗匹配问题，通常单端为 50Ω，差分 100Ω。 图 3 给出了 DDR 及其去耦电容的最终布局，其中左图是顶层布局，右图为底层布局，共计 4 片 DDR3 芯片，顶层、底层各两片。 DDR 应该尽量靠近 CPU，这样可以减小寄生参数和传 播延时。
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Micro DDR 内存布线指导 观点 在现代高速数字电路的设计过程中，工程师总是不可避免的会与DDR 或者DDR2，SDRAM 打交道。DDR的工作频率很高，因此，DDR 的Layout 也就成为了一个十分关键的问题，很多时候，DDR 的布线直接影响着信号完整性。下面本文针对DDR 的Layout 问题进行讨论
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