半导体器件的静电损伤及防护
半导体器件在制造、测试、存储、运输及装配过程中，仪器设备、材料及操作者
都很容易因摩擦而产生几千伏的静电电压。当器件与这些带电体接触时，带电体
就会通过器件引出脚(Pin)放电，导致器件失效。静电放电(Electro-Static-Discharge)
损伤不仅对 MOS 器件很敏感，而且在双极(Bipolar) 器件中同样也存在 ESD 损
伤问题。
1．静电的产生
（1）摩擦起电
（2）感应起电
（3）人体静电
表 1-1 列出了活动人体身上的典型电压。
表 1-1 活动中人体身上的典型电压
电压（KV）
人体活动
相对湿度 20% 相对湿度 80%
在人造地毯上走动
35 1.5
在聚乙烯地板上走动
12 0.25
在工作台上工作
6 0.1
坐在人造革椅上
18 1.5
拿乙烯包
7 0.6
20 1.2
拾起乙烯袋
2．影响摩擦起电电荷量的因素
（1）相对湿度
（2）材料
（3）接触面积
（4）摩擦频率
3．静电能量与电荷量
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