TC6320中文资料.pdf

TC6320是一款由Supertex公司制造的双通道增强模式MOSFET，集成了N沟道和P沟道MOSFET，并且封装在SO-8封装内。这款器件特别适用于需要高电压脉冲发生器、放大器、缓冲器、压电传感器驱动器、通用线路驱动器以及逻辑电平接口等应用。 该器件的特点包括： 1. 集成门源电阻：这有助于控制MOSFET的开启速度，确保稳定的工作特性。 2. 集成门源齐纳二极管：这个功能用于保护MOSFET的栅极，防止过电压导致的损坏，尤其在高电压脉冲应用中至关重要。 3. 低阈值电压：这使得TC6320在较低的控制信号下即可轻松开启或关闭，降低了功耗。 4. 低导通电阻：这提高了器件的效率，减少了在导通状态下的功率损耗。 5. 电气隔离的N-和P-通道：独立的通道允许独立控制，增强了设计灵活性。 6. 低输入电容：这意味着更快的开关速度，适合高速应用。 7. 无二次击穿：确保了器件在高压工作条件下的稳定性。 8. 低输入和输出泄漏电流：这减少了不必要的电流损耗，提高了系统的整体性能。 绝对最大额定值是设备安全操作的极限值，包括： - 漏源电压（BVDSS）：+200V，这是MOSFET可以承受的最大漏源电压。 - 漏栅电压（BVDGS）：器件能承受的漏栅极之间的最大电压。 - 工作和存储温度范围：-55°C到+150°C，保证了器件在各种环境温度下的正常运行。 - 锡焊温度：在距离封装1.6mm处，短时间内可承受高达300°C的焊接温度。 需要注意的是，Supertex公司不推荐将他们的产品用于生命支持应用，除非收到充分的产品责任保险赔偿协议。公司对使用设备的任何可能遗漏或不准确之处不承担责任，仅对因工艺缺陷确定为有缺陷的设备进行替换。 对于最新的产品规格，用户应访问Supertex的官方网站获取。在Supertex的法律责任/免责声明页面上可以找到所有产品的完整责任信息。TC6320TG提供200V以上的击穿电压，进一步增强了其在高电压应用中的能力。