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NAND Flash 基础知识 NAND Flash 是一种非易失性存储器，广泛应用于各种电子设备中。其数据以 bit 的方式保存在 memory cell 中，通常一个 cell 只能存储一个 bit。这些 cell 以 8 个或 16 个为单位，连成 bit line，形成所谓的 byte(x8)/word(x16)，这就是 NAND Device 的位宽。 在 NAND Flash 中，每个 page 由 528 字节组成，其中包括 512 字节的数据区和 16 字节的 spare 区域。每 32 个 page 形成一个 block，总大小为 16KB。整个 NAND Flash 设备由 64MB 的存储空间，分为 4096 个 block。 在 NAND Flash 中，地址和命令只能在 I/O[7:0] 上传递，数据宽度是 8 位。由于地址的宽度超过 8 位，因此需要采用移位的方式进行传递。例如，对于 512Mbit 的 NAND Flash，地址范围是 0~0x3FF_FFFF，需要 12 个 bit 来表示 block 地址。 NAND Flash 的地址结构可以分为四部分：Block Address、Page Address、Halfpage Pointer 和 Column Address。其中，Block Address 是由 A14 以上的 bit 来表示，Page Address 是由 A[13:9] 来表示，Halfpage Pointer 是由操作指令决定的，Column Address 是由 A[7:0] 来表示。 在读取和写入数据时，NAND Flash 以页为单位进行操作，而擦除数据则以块为单位进行操作。因此，在访问 NAND Flash 时，需要先指定 Block Address，然后是 Page Address，最后是 Column Address。 在实际应用中，NAND Flash 的容量大小不同，地址传递的步骤也不同。如果 NAND Flash 的容量小于 256Mbit，则 block 地址最高位只到 bit24，因此寻址只需要 3 步。否则，需要 4 步来完成地址传递。 需要注意的是，对于 NAND Flash 的读写操作都是以页为单位的，每个 page 由 528 字节组成，其中包括 512 字节的数据区和 16 字节的 spare 区域。这种结构方式可以提高 NAND Flash 的存储密度和读写速度。 对于 x16 的 NAND Flash 器件，一个 page 的 main area 的容量为 256word，相当于 512byte。但是，这个时候没有所谓的 1st halfpage 和 2nd halfpage 之分了，所以，bit8 就变得没有意义了，地址传递仍然和 x8 器件相同。 NAND Flash 是一种高密度、高速度的存储器，广泛应用于各种电子设备中。对其基础知识的了解有助于我们更好地理解和应用 NAND Flash。