半导体制造技术的一些名词含义 半导体制造技术是指将晶圆(Wafer)转换为半导体晶圆片的过程。该过程涉及多个步骤,包括晶圆生产、光学显影、干式蚀刻、化学气相沉积、物理气相沉积等。 晶圆生产是半导体制造的第一步骤。晶圆的生产始于砂即(二氧化硅),经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。 光学显影是半导体制造的第二步骤。光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率,更在IC 制程的进步上,扮演着最关键的角色。 干式蚀刻是半导体制造的第三步骤。干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。 化学气相沉积是半导体制造的第四步骤。化学气相沉积是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜(film)的技术,所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子的气体,会被导入受到严密控制的制程反应室内。 物理气相沉积是半导体制造的第五步骤。物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)主要是一种物理制程而非化学制程。 此技术一般使用氩等钝气,藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后,可将靶材原子一个个溅击出来,并使被溅击出来的材质(通常为铝、钛或其合金)如雪片般沉积在晶圆表面。 高温制程多晶硅(poly)通常用来形容半导体晶体管之部分结构。至于在某些半导体组件上常见的磊晶硅(epi)则是长在均匀的晶圆结晶表面上的一层纯硅结晶。多晶硅与磊晶硅两种薄膜的应用状况虽然不同,却都是在类似的制程反应室中经高温(600 ℃至 1200 ℃)沉积而得。
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