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证券研究报告 | 公司点评报告

2023 年 04 月 18 日

增持（维持）

在手订单大超预期，沉积、键合等产品线持续拓展

TMT 及中小盘/电子

当前股价：448.0 元

拓荆科技发布 2022 年报，全年收入 17.06 亿元，同比+125%；归母净利润 3.69

亿元，同比+438%。公司全年新签订单 43.62 亿元（不含 DEMO 机台），各产

品线持续拓展，长期增长动力充沛，维持“增持”投资评级。

❑ 全年收入业绩高增长，股权激励彰显长期增长信心。2022 全年收入 17.06 亿

元，同比+125%；毛利率 49.3%，同比+5.3ppts；归母净利润 3.69 亿元，同

比+438%；扣非净利润 1.78 亿元，同比大幅扭亏为盈。根据股权激励计划，

22/23/24/25 年收入目标分别不低于 15.16、22.74、30.32、37.9 亿元，归母

净利润目标不低于 2.53、4.04、5.48、6.85 亿元，彰显长期增长信心。

❑ PECVD 快速放量，SACVD 和 ALD 持续起量。1）PECVD：收入 15.63 亿

元，同比+131.4%；售出 98 台，同比+96%；毛利率 49.4%，同比+6.8ppts；

2）ALD：收入 3259 万元，售出 1 台，毛利率 46%；3）SACVD：收入 8948

万元，同比+117.4%；售出 5 台，去年同期仅售出 1 台，毛利率 46.8%。从

库存情况来看，截至 2022 年底，公司 PECVD、ALD、SACVD 设备库存量

分别为 141、6、13 台，HDPCVD 和其他设备库存量均为 1 台。

❑ 在手订单超预期，未来收入有望延续高增长态势。截至 2022 年底，合同负债

13.97 亿元，较三季度末增加 4.7 亿元；存货 23 亿元，较三季度末增加 2 亿

元，已取得正式销售订单的发出商品占库存数量的 80%以上，金额占存货的

56%。公司全年新签订单 43.62 亿元（不含 DEMO 机台），同比+95.36%，

截至 2022 年底在手订单共 46.02 亿元（不含 DEMO 机台）。根据招股书，

截至 21Q3，公司发出商品中 DEMO 机台数量占比 33.78%，成熟机台验收周

期大约 3-6 个月，DEMO 机台验收周期大概 15-24 个月，在手订单有望保证

未来收入高速增长。

❑ 国内 PECVD、SACVD 等设备龙头地位不断稳固，Thermal ALD、HDPCVD、

晶圆键合等新品持续拓展。公司产品线包括 PECVD、ALD、SACVD 三大产

品线，其他领域新品持续完善。1）PECVD：①PF-300T、PF-300T eX 扩大

应用面，Lok I、ACHM、ADC I、HTN 等薄膜均通过客户验证，进入量产；

②针对先进封装开发了 80-200℃的低温沉积设备，用于 SiN、TEOS 等，并

实现量产；③NF-300H 设备实现首台产业化应用并取得重复订单，用于 Thick

TEOS 等；④氧化硅/氮化硅（ONON）堆栈薄膜是 3D NAND 存储的底层结

构，也是最难沉积的结构之一，公司技术已达到国际先进水平。2）ALD：①

PEALD 用于沉积 SiO2、SiN 等介质薄膜，用于填孔、侧墙、衬垫层等工艺，

PF-300T Astra 完成产业化验证，NF-300H Astra 在客户端验证顺利；②

Thermal-ALD（PF-300T Altair、TS-300 Altair）设备已完成研发，并出货至

不同客户端进行验证，可以沉积 Al2O3 等金属化合物薄膜；3）沟槽填充 CVD：

①SACVD 实现 SA TEOS（PF-300T SA）、BPSG、SAF（PF-300T SAF）

沉积，均通过验证并实现产业化应用；②HDPCVD 用于沉积 SiO2、FSG、

PSG 等，PF-300T Hesper 已通过验证并实现销售，TS-300S Hesper（可最

多同时搭载 PECVD、ALD 及 HDPCVD 共 5 个反应腔）已取得不同客户订单；

4）晶圆键合：公司产品包括晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）产

品和芯片对晶圆键合表面预处理（Die to Wafer Bonding Preparation and

Activation）产品，可以实现直接或基于层间的键合工艺、复杂的常温共价键。

基础数据

总股本（万股）

12648

已上市流通股（万股）

2841

总市值（亿元）

567

流通市值（亿元）

127

每股净资产（MRQ）

29.3

ROE（TTM）

9.9

资产负债率

49.3%

主要股东

国家集成电路产业投资基金

股份有限公司

主要股东持股比例

19.86%

股价表现

12m

绝对表现

499

相对表现

501

资料来源：公司数据、招商证券

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鄢凡

S1090511060002

yanfan@cmschina.com.cn

曹辉

S1090521060001

caohui@cmschina.com.cn

-100

100

200

300

400

500

Apr/22 Aug/22 Nov/22 Mar/23

(%)

拓荆科技

沪深300

拓荆科技（688072.SH）

kVgXlUtVyQnQnQrPtN8OdN6MoMrRnPpMkPnNsOkPmNyQ6MtRrRNZrNyQvPoNvM

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公司点评报告

正文目录

1、全年收入业绩高增长，在手订单大超预期 .............................................................................................................. 5

2、PECVD：制程不断升级，Lok I、ACHM、ADC I、HTN 等薄膜均进入量产 ......................................................... 7

3、ALD：PEALD 实现产业化应用，Thermal ALD 取得客户订单并进行验证 ............................................................. 9

4、沟槽填充 CVD：SACVD 全薄膜覆盖，HDPCVD 已实现销售 ............................................................................. 10

5、混合键合设备：W2W 产品验证取得突破性进展，D2W 产品正在客户端验证 ..................................................... 12

风险提示 ..................................................................................................................................................................... 17

图表目录

图 1：拓荆科技营收及 yoy ........................................................................................................................................... 5

图 2：拓荆科技主营业务收入结构拆分（亿元） .......................................................................................................... 5

图 3：拓荆科技毛利率 .................................................................................................................................................. 6

图 4：拓荆科技分产品毛利率 ....................................................................................................................................... 6

图 5：拓荆科技利润情况 .............................................................................................................................................. 6

图 6：拓荆科技存货和合同负债 ................................................................................................................................... 7

图 7：拓荆科技存货结构（万元） ................................................................................................................................ 7

图 8：拓荆科技 PECVD 产品布局 ................................................................................................................................ 8

图 9：拓荆科技 UV Cure 产品布局 .............................................................................................................................. 9

图 10：拓荆科技 PEALD 多重曝光过程 ....................................................................................................................... 9

图 11：拓荆科技 ALD 产品布局 ................................................................................................................................. 10

图 12：典型 HDP-CVD 反应原理图 ........................................................................................................................... 10

图 13：SACVD 反应结构 ........................................................................................................................................... 11

图 14：SACVD 应用场景 ........................................................................................................................................... 11

图 15：拓荆科技沟槽填充类设备布局 ........................................................................................................................ 11

图 16：W2W 键合过程及后续工艺流程...................................................................................................................... 12

图 17：晶圆键合设备流程 .......................................................................................................................................... 12

图 18：D2W 键合工艺 ................................................................................................................................................ 12

图 19：2.5D 及 3D 封装示意图 .................................................................................................................................. 13

图 20：晶圆键合过程及后续工艺流程 ........................................................................................................................ 13