化合物半导体是电子行业中一个重要的分支，它包括了砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半导体材料。这些材料与第一代单质半导体相比，在高频性能和高温性能方面具有显著优势。由于5G技术的发展和推广，化合物半导体行业正在经历飞速增长。
砷化镓（GaAs）材料因其高频、抗辐射和耐高温特性，在无线通讯领域得到了广泛应用，成为了功率放大器（PA）和开关（Switch）的主要材料。而氮化镓（GaN）则因其高功率放大效率和高功率密度，成为通讯基站、功率器件等领域的首选材料，有助于电能节省，同时能减少基站体积和质量。碳化硅（SiC）材料则主要应用于大功率高频功率器件，预计到2025年SiC功率半导体市场规模将达到30亿美元，未来十年内将在工业和电动汽车领域得到广泛应用。
随着5G商用的推进，射频市场有望实现高速成长。海外国家如美国和韩国已经率先宣布了5G商用服务，日本也计划在明年春天正式商用。在这样的背景下，全球5G商用推进的预期变得强烈，从基站端到终端射频需求都将加速增长。
在射频器件领域，LDMOS、GaAs和GaN三者的市场占比目前相差不大，但预计到2025年，在GaAs市场份额基本维持不变的情况下，GaN有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场的主导地位。这表明在5G时代，射频元件将由化合物半导体主导。
国内企业三安光电在化合物半导体领域也迈出了重要的一步。公司研发的III-V族化合物半导体材料，不仅在原有的LED外延片、芯片领域有所应用，还延伸至光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体等新领域，基本涵盖了今后III-V族化合物半导体材料应用的重要领域。
在国产替代的背景下，化合物半导体材料国产化的步伐正在加快，相关企业如三安光电等正不断加码投入研发和生产。5G无线通讯基站、智能手机、WiFi与光纤等高速数据传输以及汽车、工业、太阳能等功率芯片领域的需求，都将对化合物半导体产生强劲需求。
此外，本研究还提到了相关的风险提示，包括下游需求不及预期、5G进展不及预期、汽车电气化进展不及预期等，这些风险因素可能会对化合物半导体行业的增长造成影响。
文章还提到了相关的研究和风险提示，包括了存储拐点的再探讨、AIoT+行业拐点、NorFlash量价齐升的开始等研究，以及三安光电的相关投资建议和风险提示。这些内容反映了化合物半导体行业及其相关领域的动态和发展趋势。
