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只
有
一
种
载
流
子
参
与
导
电
,
且
利
用
电
场
效
应
来
控
制
电流的三极管,称为
场效应管
,
也称
单极型三极管。
场效应管分类
结型场效应管
绝缘栅场效应管
特点
单极型器件
(
一种载流子导电
)
;
输入电阻
高;
工
艺
简
单
、
易
集
成
、
功
耗
小
、
体
积
小
、
成本低。
第
1
页
/
共
41
页
N
沟道
P
沟道
增强型
耗尽型
N
沟道
P
沟道
N
沟道
P
沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
场效应管分类:
第
2
页
/
共
41
页
D
S
G
N
符
号
4.1
结型场效应管
一、结构
图
4.1.1
N
沟道结型场效
应管结构图
N
型
沟
道
N
型硅棒
栅极
源极
漏极
P
+
P
+
P
型区
耗尽层
(
PN
结
)
导
电
沟
道
是
N
型
的
,
称
N
沟
道
结
型
场
效
应
管
。
第
3
页
/
共
41
页
P
沟道结型场效
应管
图
4.1.
2
P
沟道结型场效应管结构图
N
+
N
+
P
型
沟
道
G
S
D
P
沟
道
结
型
场
效
应
管
是
在
P
型
硅
棒
的
两
侧
做
成
高
掺
杂
的
N
型
区
(
N
+
)
,
导
电
沟
道
为
P
型
,
多数载流子为空穴。
符号
G
D
S
第
4
页
/
共
41
页
以
N
沟道
结型场效应管
为例:
通过改变
U
GS
大小来控制漏极电
流
I
D
。
G
D
S
N
N
型
沟
道
栅极
源极
漏极
P
+
P
+
耗尽层
*
在
栅
极
和
源
极
之
间
加
反
向
电
压
,
耗
尽
层
会
变
宽
,
导
电
沟
道
宽
度
减
小
,
使
沟
道
本
身
的
电
阻
值
增
大
,
漏极电流
I
D
减小。
*
耗
尽
层
的
宽
度
改
变
主要在沟道区。
二、工作原理
第
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/
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