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场效应管放大电路PPT教案.pptx
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会计学
1
场效应管放大电
路
主要内容及基本要求:
1
、了解场效应管的基本原理
(注意与三极管的相同点和不同点);
2
、了解场效应管几个工作区的特点
(注意与三极管的相同点和不同点);
3
、掌握场效应管小信号模型的规律
(注意与三极管的相同点和不同点);
4
、掌握场效应管放大电路的分析方法
(注意与三极管的相同点和不同点)。
第
1
页
/
共
55
页
场效应管
结型场效应管
场效应晶体
管是由
一种
载流子导电的
、
用输入电压控制输出电流
的半导体器件。
从参与导电
的载流子来划分,
它有
自由电子导电的
N
沟道器件
和
空穴导电
的
P
沟道器件
。(简记为
FET
)
按照场效应管的结
构划分,有结型场效
应管和绝缘栅型场效
应管两大类。
1.
结构
与双极型晶体
管
的
比较:
1
、均有三个引
脚(极
);
2
、形状类似;
3
、都可以实现
信号的
放大
;
4
、导电原理不
同;
5
、形成电路的
特点不
同;
6
、应用场合不
同。
第
2
页
/
共
5
5
页
2.
工作原理
N
沟道
P
N
结
N
沟道场效应管工作
时,
在
栅极
与
源极
之间
加负电压,
栅
极
与沟道
之间的
PN
结为反偏
。
在
漏极
、源极之间加
一定正电压,使
N
沟
道中的多数载流子
(
电
子
)
由源极向漏极漂
移,形成
i
D
。
i
D
的大
小受
V
GS
的控制。
P
沟道场效应管工作
时,
极性相反,沟道
中的多子为空穴。
注意:
N
沟道、
P
沟道的区别类似于三极
管中的
NPN
管和
PNP
管,我们讨论较多的
是
N
沟道型的
FET
第
3
页
/
共
55
页
①
栅源电压
V
GS
对
i
D
的控制作用
当
V
GS
<
0
时,
PN
结反偏,耗
尽层变厚,沟道变
窄,沟道电阻变
大,
I
D
减小;
V
GS
更负,沟道更
窄,
I
D
更小;
直至沟
道被耗尽层全部覆
盖,沟道被夹断,
I
D
≈0
。
这时所对应的
栅源电压
V
GS
称为
夹
断电压
V
P
。(
D
、
S
被断开)
第
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