《MOS场效应管放大电路》的PPT课件详细阐述了场效应管在放大电路中的应用和设计原理。该课件主要分为五个部分，涵盖了从偏置电路的设计到动态分析，再到不同组态放大性能的比较以及实际应用实例。
场效应管的偏置电路是决定放大器性能的关键。在结型场效应管和耗尽型MOS场效应管中，由于即使栅源电压为零时仍有漏极电流，因此可以采用自偏压方式来设定静态工作点。这种方式利用源极电阻上的压降来产生合适的栅源电压，使场效应管进入工作状态。而对于增强型MOSFET，由于在栅源电压为零时漏极电流也为零，所以需要采用分压式或混合式偏置方式来设置静态工作点。
接下来，课件介绍了如何确定场效应管的静态工作点。可以通过图解法，在场效应管的转移特性曲线上绘制直流负载线并找到交点。对于耗尽型和增强型场效应管，分别有不同的计算方法。对于耗尽型，使用电流方程与静态电压表达式联立求解；而对于增强型场效应管，同样需要联立方程，但需解一个关于漏极电流的二次方程，选取合理的解作为静态工作点。
在动态分析部分，重点讲解了场效应管的小信号等效模型，这对于理解放大电路的频率响应至关重要。场效应管的低频小信号等效模型比晶体管更为简洁，主要包含跨导gm和漏源电阻rds两个参数。跨导代表输入电压变化引起的输出电流变化，而漏源电阻则反映了场效应管的输出特性。通过转移特性和输出特性曲线，可以计算出这两个关键参数。
课件还探讨了共源、共漏和共栅三种放大电路的分析方法，这三种不同的连接方式分别展示了场效应管在不同工作状态下的放大特性，各有优缺点，适用于不同的应用场景。
该课件详细介绍了场效应管放大电路的基础知识，包括偏置电路设计、静态工作点的确定、动态分析以及不同放大电路配置的比较，对于理解和设计基于场效应管的放大电路提供了全面的理论指导。
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