K4B2G1646Q_128MX16.PDF

《K4B2G1646Q 2Gb Q-die DDR3L SDRAM数据手册详解》 K4B2G1646Q是一款由三星电子推出的2Gb Q-die DDR3L SDRAM内存芯片，其特性在于采用了128MX16的组织结构，并且支持1.35V的低电压操作，适用于需要高效能、低功耗的现代电子设备。这款内存芯片设计为96FBGA封装，符合RoHS标准，即无铅且无卤素，确保了环保和可靠性。 在订购信息方面，K4B2G1646Q的订购代码清晰明确，用户可以根据这个代码在三星电子或其他供应商处获取该产品。此外，该数据手册还提供了关键特性，包括其低功耗DDR3L（DDR3 Low Voltage）技术，这使得它在保持高性能的同时，能够显著降低系统功耗，延长电池寿命，尤其适合移动设备和节能型计算平台。 在封装和机械尺寸部分，K4B2G1646Q采用96引脚FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，这种封装方式有利于缩小设备的体积，提高集成度。引脚布局和机械尺寸的详细规格有助于制造商在设计电路板时准确地放置和焊接芯片，确保良好的电气接触和稳定性。 该数据手册中还包括电气特性、操作条件、时序图和命令集等重要内容。电气特性部分详细列出了芯片在不同工作状态下的电压、电流和频率等参数，为系统设计者提供精确的参考。操作条件部分明确了芯片正常工作的温度、电源电压范围等，确保在各种环境条件下稳定运行。时序图和命令集则定义了内存芯片与处理器之间的通信规则，包括读写操作、刷新、自刷新等指令，是理解和实现内存控制器设计的关键。 此外，K4B2G1646Q的数据手册还涵盖了测试条件、性能指标和故障排除指南。测试条件详细描述了在评估芯片性能时的环境和设备设置，性能指标如读写速度、时钟周期等是衡量内存性能的重要依据。故障排除指南则为工程师在遇到问题时提供了解决方案，帮助他们快速定位和修复问题。 需要注意的是，三星电子保留随时更改产品、信息和规格的权利，且提供的所有信息均以“现状”为基础，不包含任何明示或暗示的保修。此外，该文档并不授予任何专利、版权、掩模工作权、商标或其他知识产权的许可。三星产品不适用于生命支持、重症监护、医疗安全设备等应用，因为这些领域的设备对产品的可靠性有极高的要求。 K4B2G1646Q是一款专为需要高效能、低功耗解决方案的电子设备设计的内存芯片。其详细的数据手册为设计者提供了全面的技术指导，确保了芯片在各种应用场景中的正确使用和优化。