K4B4G1646D-BYMA

三星K4B4G1646D-BYMA是一款4Gb DDR3L SDRAM内存芯片，具有16位的数据宽度。它采用96球栅阵列（FBGA）封装形式，支持无铅和无卤素环保标准，符合RoHS规定，提供1.35V的电压。该芯片的完整型号为K4B4G1646D-BYMA，由三星电子制造。 内存芯片手册提供了关于此DDR3L SDRAM芯片的详细技术规范和参数信息。文档中提到了产品可能变更的通知权，表明三星电子保留改变产品规格的权利。文档内容基于"AS IS"（现状）基础，没有提供任何形式的保证。手册的所有内容以及提供的信息均归三星电子所有，不授予任何形式的专利、版权、掩膜工作、商标或其他知识产权的许可。 三星的产品不适用于支持生命、关键护理、医疗设备、安全设备，或可能导致生命损失、个人或物理伤害，或军事防御应用或任何政府采购应用。手册还声明了品牌的商标、商标和注册商标归属各自所有者。 修订历史记录显示了文档的版本更新，包括发行日期和修改内容。例如，1.02版本纠正了拼写错误，并首次发布了规格。文档编辑者列出了S.H.Kim和J.Y.Lee。 手册的目录概述了DDR3 SDRAM的技术特点、封装引脚布局和尺寸、电气特性描述、绝对最大额定值、交流和直流操作条件、推荐直流操作条件、交流和直流输入测量水平、单端信号的交流和直流逻辑输入电平、VREF容差、差分信号的交流和直流逻辑输入水平以及差分信号的定义。 在电气特性描述部分，手册详细说明了输入/输出的功能描述。DDR3 SDRAM的地址访问方式也在手册中有所描述。绝对最大额定值部分包括了直流额定值和DRAM组件操作温度范围，以及交流和直流操作条件，推荐直流操作条件、交流和直流输入测量水平。 在交流和直流逻辑输入水平方面，手册描述了单端信号和差分信号的逻辑输入水平，包括差分信号的定义和容差。此外，手册还包含了一系列的图表和表格，以视觉化的方式描述了封装的引脚布局、封装尺寸和引脚定义，以及差分信号的逻辑输入电平。 K4B4G1646D-BYMA内存芯片手册包含了有关三星电子所生产的这款4Gb DDR3L SDRAM芯片的完整技术细节，从基础的电气特性到操作条件、封装形式、信号定义等。这些信息对于硬件设计者、系统集成商以及最终用户来说是至关重要的，它们确保了内存芯片的正确配置与操作，从而优化系统的性能和稳定性。手册的法律声明也确保了知识产权的保护，避免了在没有授权的情况下使用三星的技术和商标，而修订历史记录为跟踪文档更新提供了明确的路径。