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电子封装基本工艺
电子封装基本工艺
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第二章
电子封装的基本工艺
塑料封装转移成型的基本工艺流程图
硅片减薄
硅片切割
芯片贴装
芯片互连
成型
切筋打弯
去飞边毛刺
打码
上焊锡
第2.1节
芯片贴装
一、硅片减薄与切割
硅片尺寸增大,厚度增加,划片困难,封装模
块厚度增加。
减薄:研磨剂,硅片背面
划片
:
大圆片切割成小芯片
划片机:激光束、钻石尖、金刚石锯刀
二、芯片贴装
将芯片贴装到框架的中间焊盘
(die-attach pad)
上。
塑料封装中常用的芯片贴装方法:
1. Au-Si
低共熔合金贴装
芯片的背面淀积
Au
层,直接粘合于镀
Au
焊盘,
然后在约
370
℃的
H
2
或
(N
2
)
保护气体中进行烧结,
使之形成低共熔合金。
Au-Si
低共熔合金熔点约
370
℃,
Au:Si
= 69:31
,由
Au
的厚度可大致估算
Si
溶解深度。
优点:刚性连接,不易产生焊接疲劳
缺点:芯片、框架的
CTE
失配,热应力会导致芯片开
裂;生产效率低。
2. Pb/Sn
合金焊接法
芯片背面:
Au or Ni
焊盘:
Au, Pd-Ag, or Cu
金属化
连接:使用合金焊料或焊膏连接芯片和焊盘
温度:取决于
Pb-Sn
和金的成分。
3.
导电聚合物粘结法
聚合物芯片粘结剂大多数是用环氧树脂、聚酰亚
胺作为基体材料,充填料一般是银颗粒或银片,填
充量
75-80%
。
散热:芯片
-
粘结剂
-
框架
固化条件:
150
℃,
1h
问题:
降解(高温存储)
界面空洞:开裂;热阻,升温导致电路参数漂移
吸潮:焊接时模块开裂
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