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⑵ 去除颗粒的原理: 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化...
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中国芯技术系列
2
本节课主
要内
容
硅片清洗
湿法清洗:
Piranha
,
RCA
(
SC
-
1
,
SC
-
2
),
HF:H
2
O
物理清洗
干法清洗:
气相
化学
吸杂三步骤
:
激活,扩散,俘获
碱金属:
PSG
,超净化+
Si
3
N
4
钝化保护
其他金属:
本征
吸杂和
非本征
吸杂
——
大密度硅间
隙原
子+体
缺陷
SiO
2
的成核
生长。
硅片背面高
浓
度掺杂,淀
积
多晶硅
净化的三个
层次
:环境
、硅片
清洗、
吸杂
本节课主
要内
容
净化级别
高效净化
净化的必要
性
器件:少
子寿
命
,
V
T
改变
,
I
on
I
off
,栅击
穿电压
,
可靠
性
电路:产
率
,电路
性能
The bottom line is
chip yield. “Bad” die
manufactur
ed
alongside
“good” die.
Incr
easing yield
leads to better
pr
ofitability in
manufacturing chips.
杂质种类:
颗粒
、有机
物、金属、
天然
氧化层
强氧化
天然氧化层
HF:DI H
2
O
本征吸杂和
非本
征吸杂
4
三道防线
:
✓
环境净化(
clean
r
oom
)
✓
硅片清洗(
wafer
cleaning
)
✓
吸杂(
gettering
)
5
1
、空气净化
Fr
om
Intel Museum
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