存储芯片技术发展分析报告
存储芯片技术是计算机系统中的一种关键组件,负责存储计算机的操作系统、应用程序和数据。近年来,存储芯片技术的发展速度非常快,制程不断提高,新技术不断涌现。本报告将对存储芯片技术的发展趋势进行分析。
一、NOF Flash技术发展趋势
NOF Flash是一种非易失存储器(Non-Volatile Memory),它可以在断电后保留数据。NOF Flash技术发展趋势可以分为两个方面:制程和接口技术。制程方面,NOF Flash的制程已经从1988年的1.5微米发展到现在的40nm。主要产商如美光、赛普拉斯、华邦、旺宏等已经采用了45nm制程。中低端市场主要产商兆易创新与旺宏于2019年推出55nm制程,华邦预计于2021年量产45nm制程产品。
接口技术方面,SPI(串行外设接口)是一种常用的接口技术,NOF Flash使用SPI接口技术可以提高存储速度和降低成本。SPI接口技术的优化对NOF Flash的发展产生了重要影响。兆易创新推出的八通道XSPI接口技术大幅增加了闪存数据吞吐量。
二、DRAM技术发展趋势
DRAM(动态随机存取存储器)是一种常用的存储芯片技术,DRAM技术发展趋势可以分为两个方面:制程和技术路线。制程方面,DRAM的制程已经从20nm发展到现在的1znm。主要产商如三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM。国产DRAM厂商合肥长鑫现已量产的DRAM为19nm制程,预计2021年可投产17nm DRAM。
技术路线方面,DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后,制造难度大幅提升,内存芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度。
存储芯片技术的发展趋势是制程不断提高、新技术不断涌现。NOF Flash和DRAM是存储芯片技术的两大支柱,制程和接口技术的优化对存储芯片技术的发展产生了重要影响。本报告对存储芯片技术的发展趋势进行了分析,对存储芯片技术的发展前景进行了预测。