1. 液态生长 (LPE: Liquid Phase Epitaxy)
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LPE ：在晶体衬底上用金属性溶液形成一个薄层。
在加热过的饱和溶液里放上晶体 , 再把溶液降温 , 外
延层便可形成在晶体表面。原因在于溶解度随温度
变化而变化。
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LPE 是最简单最廉价的外延生长方法 . 在 III/IV 族
化合物器件制造中有广泛的应用 . 但其外延层的质
量不高 . 尽管大部分 AlGaAs/GaAs 和 InGaAsP/InP
器件可用 LPE 来制作 , 目前 , LPE 逐渐被 VPE,
MOVPE （金属有机物） , MBE( 分子束）法代替 .
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