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SI2333-ES Rev-1.1 www.elecsuper.com
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SuperMOS – SOT-23 -12V BV
DSS
, 29mΩ R
DS(on)
, P-channel MOSFET
1. Description
The SI2333-ES is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench
technology and design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate charge. Device is suitable for use in
DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product SI2333-ES is Pb-free.
2. Features
-12V, R
DS(ON)
=29mΩ(TYP.) @V
GS
=-4.5V
R
DS(ON)
=45mΩ(TYP.) @V
GS
=-2.5V
R
DS(ON)
=67mΩ(TYP.) @V
GS
=-1.8V
Fast Switching
High density cell design for low R
DS(on)
Material: Halogen free
Reliable and rugged
Avalanche Rated
Low leakage current
3. Applications
PWM applications
Load switch
Power management in portable/desktop PCs
DC/DC conversion
4. Ordering Information
Part Number
Package
Marking
Material
Packing
Quantity
per reel
Flammability
Rating
Reel
Size
SI2333-ES
SOT-23
2301
Halogen
free
Tape &
Reel
3,000
PCS
UL 94V-0
7 inches
5. Pin Configuration and Functions
Pin
Function
Outline
Circuit Diagram
1
Gate
3
1
2
2301
2
Source
3
Drain
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liyongxgq123
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