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2020年氮化镓半导体材料行业研究报告.zip
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2020年氮化镓半导体材料行业研究报告
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HVPE是制备GaN的主流斱法。通过高温下高纯 Ga不HCl反应形成GaCl蒸气,在衬底戒外延面不 NH3反应, 沉积结晶形成GaN。该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h),可在异质衬底上外延生长数百微米 厚的GaN层,仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去 掉衬底,即可获得GaN单晶片。此法得到的晶体尺寸较大,丏位错密度控制地较好。针对
氮化镓GaN行业报告:5G、快充、UVC,第三代半导体
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宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三 代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射 能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟 的第三代半导体材料是 SiC 和 GaN,而 ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。
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三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论, 能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带,价带被电子填满且导带上无电子时,晶体不 导电。当晶体受到外界能量激发(如高压),电子被激发到导带,晶体导电,此时晶体被击穿,器 件失效,禁带宽度代表了器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁 带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力。
化合物半导体行业报告:砷化镓、氮化镓、碳化硅,射频行业
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目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子,如军事通讯、电子干扰、雷达等领域;在民用领域,氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站 PA 的功放效率较其他材料更高,因而能节省大量电能,且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段,功率密度大,能够减少基站体积和质量。 特色工艺代工厂崛起,分工大势所趋。全球半导体分为 IDM(Integrated Device Manufacture,集成电路制造)
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