2021年第三代半导体GaN专题研究报告.pdf
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2021-07-07
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【导语】
2019 年-2025 年，GaN 射频器 件市场将保持 12%的增速增长，预 计 2025 年达
20 亿美元。通信和军工是推动 GaN 射频器 件市场增长的主要驱动力， 2025
年通信市场规模占比 36.6%,军工占比 55.5%。
1、GaN 或将领跑第三代半导体市场：氮化镓（GaN）可同时涵盖射频和功
率领域，特别是在高功率和高频 率领域应用效果特别出色；可广泛应用
于通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等传 统产
业领域；由于商业化进展快，将领跑第三代半导体市场。
2、GaN 将逐步替代 LDMOS：GaN 弥补了 GaAs 和 Si 基 LDMOS 两种老式技术
之间的缺陷，在体现 GaAs 高频性能 的同时，结合了 Si 基 LDMOS 的功
率处理能力；随着 GaN 材料工艺的成熟和成本的下降，将逐步替代
LDMOS， 预计到 2025 年在射频市场的渗透率将达到 50%左右。
3、GaN 将在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用 GaN-on-
Si 的功率器件工作电压在 1000V 以 下，成本在 1 美金左右。因此，GaN
功率器件在低压领域（0-900V）首先商用，替代传统的硅基功率器件；
IMEC 实验室在 4 月 29 日宣布了工作电压可达 1200V 的硅基 GaN 外延片；
若是商业化顺利，1000V 以上中高压领 域，硅基 GaN 也有可能获得一部
分市场份额。
什么是第三代化合物半导体
第三代半导体是指化合物半导体，包括 SiC(碳化 硅)、GaN（氮化镓）、
ZnO（氧化锌）、GaO（氧 化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁
带半 导体材料（导带与禁带间能隙差 Eg>2.3eV）。第三代半导体具有高
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