安森美半导体的突破性ESD保护技术.pdf

【安森美半导体的突破性ESD保护技术】 静电放电（ESD）保护是电子设备设计中的关键环节，特别是对于日益小型化和高速化的便携式设备如手机、MP3播放器、PDA和数码相机等。安森美半导体（ON Semiconductor）作为全球电源管理和电路保护领域的领导者，推出了一项创新的超低电容ESD保护器件系列——ESD9L。这款单线ESD保护器件具有0.5pF的超低电容和业界领先的低钳位电压，极大地提升了高速数据线路的保护性能。 传统的硅瞬态电压抑制（TVS）二极管虽然具备低钳位电压和快速响应时间，但其较大的电容限制了在高速应用中的使用。相比之下，聚合物和陶瓷压敏电阻虽然提供了低电容，但较高的ESD钳位电压限制了它们对高度敏感集成电路的保护能力。安森美半导体的新技术突破了这些局限，通过将超低电容PIN二极管与大功率TVS二极管集成在一个单一裸片上，创建了一个高性能的片外ESD保护解决方案。 这个新的集成型ESD保护技术平台不仅保留了传统硅TVS二极管的优秀钳位和低漏电流特性，还显著降低了电容，达到0.5pF的总电容，使得ESD9L适用于USB2.0高速（480Mbps）和高清多媒体接口（HDMI）（1.65Gbps）等高速应用。根据IEC61000-4-2标准，ESD9L能够在纳秒级别内将15kV的ESD波形钳位至不到7V，这种钳位电压性能领先行业，为最敏感的IC提供了真正的保护。 此外，安森美半导体的集成ESD保护平台采用了专有设计技术，在提升钳位性能的同时保持了极小的裸片尺寸，使得器件能够封装在仅1.0mm x 0.6mm x 0.4mm的SOD-923封装中。这种超小型封装结合领先的超低电容和极低钳位电压，赋予了ESD9L在设计上的极高灵活性，使其成为对尺寸和性能要求严苛的应用的理想选择。 安森美半导体的这项突破性ESD保护技术标志着半导体领域的一个重要进展，它解决了高速数据线路保护与低电容需求之间的矛盾，为便携式电子设备的电路保护提供了更高效、更精确的解决方案。对于那些依赖于高速数据传输和对ESD敏感的电子产品设计者而言，这种创新技术无疑提供了强大的工具，以确保设备的稳定性和可靠性。