"单轴取向p型半导体CuI薄膜的制备与表征"
单轴取向p型半导体CuI薄膜是当前半导体材料研究的热点之一。CuI是一种高带隙宽度的p型半导体材料,带宽为3.2 eV,具有物理化学性质稳定,制备成本低廉,电阻率可随碘离子浓度改变,在可见光范围内透明等优点。
单轴取向CuI薄膜的制备是currently a hot topic in the field of semiconductor research。通过反应沉淀法制备CuI粉体,并利用溶液生长法在玻璃载体上制备单轴取向p型半导体CuI薄膜。XRD和SEM对样品进行了分析,结果表明,CuI粉体为片状结构;晶体薄膜是(111)晶面沿玻璃平行生长的单轴取向马赛克CuI薄膜。
单轴取向CuI薄膜的形成机理是通过反应沉淀法制备CuI粉体,然后利用溶液生长法在玻璃载体上制备单轴取向p型半导体CuI薄膜。在这个过程中,CuI粉体的片状结构和晶体薄膜的单轴取向马赛克结构起着关键作用。
CuI是一种非常有前途的固体电解质材料,具有广泛的应用前景。可以用作太阳能电池的固体电解质、阳极射线管覆盖物等。在固态太阳能电池中,最常见的空穴传输材料就是p型半导体,应用在固态太阳能电池中的p型半导体应具备以下几个方面的条件。首先,在染料受激将电子注入到TiO2后,能够传输染料上的空穴。其次,它的尺寸大小应该与TiO2孔的尺寸相匹配,也就是说能够填充到TiO2膜的孔中。第三,沉积方法简单易行,同时保证不使吸附在TiO2上的染料溶解或降解。第四,材料本身在可见光谱范围内透明。
单轴取向p型半导体CuI薄膜的制备和表征对于半导体材料研究具有重要意义。CuI薄膜的制备和研究将开辟出固态太阳能电池和其他电子器件的新前景。