【半导体激光在牙科治疗中的应用】
这篇论文探讨了半导体激光在牙科根管治疗中应用时,根管内照射对牙根表面温度变化的影响。半导体激光作为一种导体技术,因其精确性和可控性,在口腔医学中得到了广泛的研究和应用。
在实验一中,研究人员将60颗离体单根管牙分为两组,A组(功率1.5W)和B组(功率3W),每组再细分为三个亚组,采用不同的照射模式:A1为照射5秒4次,A2为照射10秒2次,A3为连续照射20秒。实验结果显示,不同照射模式下,根管外壁的温度升高有所不同。A1、A2、A3模式下的温度升高速度分别为4.78℃、5.21℃、5.97℃,B组在相同模式下温度升高均高于A组,尤其是B3模式下,根管外壁温度升高最高可达10.3℃。这表明,激光功率的增加会显著增加根管外壁的温度。
实验二则进一步研究了功率1.5W时,连续照射20秒模式下,根尖(G1点)、根尖1/3(G2点)和根中1/3(G3点)的温度变化。结果显示,根尖位置的温度升高明显低于根尖1/3和根中1/3的位置,G2和G3之间的温度变化无显著统计学差异。这意味着,激光照射对根管不同部位的温度影响存在差异。
根据这些实验数据,可以得出结论:照射模式和激光功率对根管外壁温度的变化有显著影响,且各部位的升温幅度不同。在功率1.5W的条件下,所设计的三种照射模式在临床使用中相对安全。然而,为了减少对牙周组织的潜在损害,需要谨慎选择合适的激光功率和照射时间。
这篇研究提供了一项重要的参考文献,对于指导牙科医生在使用半导体激光进行根管治疗时如何调整操作参数,以最大程度地减少温度上升对周围组织的影响具有重要意义。同时,它强调了在激光治疗过程中,考虑不同部位的温度反应以及选择适宜的治疗参数的重要性。