2022年存储芯片行业深度报告.docx

2022年存储芯片行业深度报告 本报告对存储芯片行业进行了深入的分析和介绍，涵盖了存储芯片的发展历史、分类、技术原理、市场趋势等多方面的内容。 存储芯片的发展历史 早期的信息存储主要依靠纸张、磁性媒介为主，到了1725年法国人发明了打孔卡和打孔纸带，这是最早的机械化信息存储形式。1928年磁带问世，磁性存储时代开始，随后在1932年，硬盘驱动器前身即磁鼓内存问世，存储容量约62.5千字节。1936年，世界上第一台电子数字计算机诞生，使用真空二极管处理二进制数据，使用再生电容磁鼓存储器存储数据，但体积庞大。1946年，第一个随机存取数字存储器诞生，存储容量4000字节，因体积过大后来被1956年IBM发明的硬盘驱动器（HDD）替代。随后，1965年只读式光盘存储器（光盘，CD-ROM）普及。半导体存储技术发展已有半个世纪。 存储芯片的分类 半导体存储器又称存储芯片，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是现代数字系统的重要组成部分。半导体存储器具有体积小、存储速度快等特点，广泛应用服务器、PC、智能手机、汽车、物联网、移动存储等领域。 根据存储原理的不同，半导体存储器可分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）：（1）随机存储器（RAM）。与CPU直接交换数据的内部存储器。可随时读写且速度快，断电后存储数据丢失，是易失性存储器。RAM又可进一步细分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。DRAM用作内存，需求量远高于SRAM。SRAM速度很快但成本高，一般用于作CPU的高速缓存。（2）只读存储器（ROM）。只能读取事先存储的信息的存储器。断电后所存数据不会丢失，根据可编程、可抹除功能，ROM可分为PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和Flash等。Flash是当前主流的存储器，具备电子可擦除可编程的性能，能够快速读取数据而且断电时不会丢失数据，往往与DRAM搭配使用。 DRAM和NAND Flash DRAM和NAND Flash为最重要的两类存储芯片。按照市场规模计算，DRAM约占存储器市场53%，NAND Flash约占45%，二者份额合计达98%，为存储器市场主要构成产品。 发展趋势 DRAM聚焦制程迭代，NAND聚焦3D堆叠。DRAM的工作原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit），具备运算速度快、掉电后数据丢失的特点，常应用于系统硬件的运行内存，主要应用于服务器、PC和手机等。在结构升级方面，DRAM分为同步和异步两种，两者区别在于读/写时钟与CPU时钟不同。传统的DRAM为异步DRAM，已经被淘汰，SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存储器）为DRAM的一种升级，读/写时钟与CPU时钟严格同步，主要包括DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。 本报告对存储芯片行业进行了深入的分析和介绍，涵盖了存储芯片的发展历史、分类、技术原理、市场趋势等多方面的内容，为读者提供了一个全面的了解存储芯片行业的平台。