LPCD 工作流程说明
一、 LPCD 术语说明
LPCD 模式:芯片进行 LPCD 初始化配置后,NPD 引脚设置为低电平,芯片进入 LPCD
模式,此模式下,芯片会自动进行 LPCD 探测,如果探测结果超出阈值范围,则产生中断
信号。
校准模式:芯片可以由程序控制进行 LPCD 探测,NPD 引脚设置为高电平,此模式下程
序可以根据探测情况对 LPCD 配置参数进行调整,再次启动 LPCD 探测,直至完成校准过
程。
Timer1 时间:LPCD 的休眠时间,芯片处于 HPD 硬件低功耗模式。
Timer2 时间:LPCD 的准备时间,芯片启动数字电路。
Timer3 时间:LPCD 的发射时间,芯片发射探测载波,T3 时间对探测性能有影响,
通常 Timer3 越大则探测分辨率越高。
Tvmid 时间:LPCD 的 Vmid 电源启动时间,Vmid 电源为接收电路提供直流偏置电压。
CwN:发射端 NMOS 管驱动,配置发射功率,取值:旧版本 0~1;新版本 0000~1111,
驱动能力由小变大。
CwP:发射端 PMOS 管驱动,配置发射功率,取值:000~111, 驱动能力由小变大。
LPCD Gain:接收端可用设置从 0.4x~4x 共 11 档衰减、增益,用于衰减、放大接收到到
探测载波。
LPCD 包络检波:从衰减、放大后的载波信号,提取包络,得到探测幅度电压。
探测幅度:LPCD 探测载波,经过接收放大电路、包络检波电路处理后,得到探测幅度
电压。
基准电流:内置可编程恒流源,与基准电容配合产生基准电压。
基准电容:内置可编程电容,与基准电流配合产生基准电压。