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《ARM 嵌入式系统开发典型模块》
3.1 SDRAM 模块功能简介
SDRAM 与 Flash 不同，它不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于 Flash 存
储器，且具有读/写的属性，因此 SDRAM 在系统中主要用作程序的运行空间，数据及堆栈
区。 当系统启动时，CPU 首先从复位地址 0x0 处读取启动代码，在完成系统的初始化后，程
序代码一般应调入 SDRAM 中运行，以提高系统的运行速度，同时，系统及用户堆栈、运行
数据也都放在 SDRAM 中。
SDRAM 具有单位空间存储容量大和价格便宜的优点，已广泛应用在各种嵌入式系统中。
SDRAM 的存储单元可以理解为一个电容，总是倾向于放电，为避免数据丢失，必须定时刷
新（充电）。因此，要在系统中使用 SDRAM，就要求微处理器具有刷新控制逻辑，或是在系
统中另外加入刷新控制逻辑电路。S3C4510B 和 S3C44B0X 芯片及其他一些 ARM 芯片在片
内具有独立的 SDRAM 刷新控制逻辑，可方便地与 SDRAM 接口。但某些 ARM 芯片则没有
SDRAM 刷新控制逻辑，不能直接与 SDRAM 接口，在进行系统设计时应注意这一点。
SDRAM 是高速的动态随机存取存储器，它的同步接口和完全流水线的内部结构使其拥有极
大的数据速率，目前 SDRAM 时钟频率已达 100MHz 以上。另外它们的行、列地址线共用，
由行地址选通（（ CAS）、 列 地址选通（RAS）信号分时控制。基本存储单元是内存芯片中储
存信息的最小的单位，每个存储单元可以存储 1bit 的信息，并且有一个由行地址和列地址共
同定义的唯一的地址。我们都知道 8bit 可以在一起组成 1byte（这也就意味着 lbyte 具有 256
种可能的数值），而字节是内存中最小的可寻址的单元。虽然内存基本存储单元具有唯一的地
址，但是并不能进行独立的寻址，这将要求内存芯片有数以百计的引脚同计算机通信，显然
这是不可能的。现在内存架构是处于同一列的基本存储单元共用一条列地址线，而处于同一
行的基本存储单元共用一条行地址线，组成一个基本存储单元构成的矩阵架构。而这些矩
阵架构构成一个内存 Bank，SDRAM 内部以 Bank 为组织，可由行、列地址寻址。另外为了
保持内部数据还必须进行刷新。
3.2 SDRAM 的结构特点
3.2.1 DRAM 器件的结构特点
DRAM 存储一个位的消息只需要一只晶体管，但是需要 周期性地充电，才能使保存的信
息不消失。DRAM 的一个存储位单元结构如图 3.1 所示。
