H9DP32A4jjagr-kem

FEATURES [ CI-MCP ] ● Operation Temperature - -25oC ~ 85oC ● Packcage - 153-ball FBGA - 11.5x13mm2, 1.0t, 0.5mm pitch - Lead & Halogen Free [ e-NAND Flash ] ● Packaged NAND flash memory with MultiMediaCard interface ● High capacity memory access ● eMMC/MultiMediaCard system specification, compliant with V4.41 ● Full backward compatibility with previous MultiMediaCard system specification ● Bus mode - High-speed MultiMediaCard protocol. - Three different data bus widths: 1 bit, 4 bits,8 bits. - Data transfer rate: up to 104Mbyte/s - DDR mode supported ● Operating voltage range: - VCCQ = 1.7~1.95V/2.7V~3.6V - VCC = 3.3V ● Error free memory access - Internal error correction code - Internal enhanced data management algorithm (wear levelling, bad block management, garbage collection) - Possibility for the host to make sudden power failure safe-update operations for data content ● Security - Password protection of data - Security Erase - Security Trim - Secure bad block management - Built-in write protection ● Boot - Simple boot sequence method ● Power saving - Enhanced power saving method by introducing sleep functionality ● Partition management with enhanced storage. ● Hardware reset supported [ DDR SDRAM ] ● Double Data Rate architecture - two data transfer per clock cycle ● x32 bus width ● Supply Voltage - VDD / VDDQ = 1.7 - 1.95 V ● Memory Cell Array - 16Mb x 4Bank x 32 I/O x 2 Die ● Bidirectional data strobe (DQS) ● Input data mask signal (DQM) ● Input Clock - Differential Clock Inputs (CK, /CK) ● MRS, EMRS - JEDEC Standard guaranteed ● CAS Latency - Programmable CAS latency 2 or 3 supported ● Burst Length - Programmable burst length 2 / 4 / 8 with both sequen tial and interleave mode 根据给定的文件信息，我们可以提取以下IT知识点： **标题解析与知识点：** 标题 "H9DP32A4jjagr-kem" 似乎是一个特定的型号或产品标识。由于没有直接相关的IT知识点，我们可以推测这可能是一个集成封装模块（CI-MCP）或特定存储产品的型号。 **描述解析与知识点：** 描述部分提供了多个技术组件的详细特性，包括： 1. **CI-MCP (Multi-Chip Package) 特性：** - **工作温度范围**：产品能在-25°C 到 85°C之间稳定工作，这对于工业级产品来说是一个很重要的特性。 - **封装类型**：153个球焊FBGA封装，尺寸为11.5x13mm^2，厚度为1.0t，球焊间距为0.5mm。FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）是一种高密度封装技术，适用于高引脚数和高性能的IC封装。此外，它还标明为不含铅和卤素，符合环保要求。 2. **e-NAND Flash 特性：** - **封装NAND闪存**：带有MultiMediaCard接口的封装NAND闪存，支持高速数据访问和大容量存储。 - **系统规范**：符合eMMC/MultiMediaCard系统规范V4.41，并且与旧版本的MultiMediaCard系统规范完全兼容。 - **数据总线宽度与数据传输率**：支持三种不同的数据总线宽度，分别是1位、4位和8位，数据传输速率高达104Mbyte/s，并支持DDR模式。 - **工作电压范围**：VCCQ为1.7~1.95V/2.7V~3.6V，VCC为3.3V，这确保了不同供电系统的兼容性。 - **错误校正与管理**：集成内部错误校正码和数据管理算法（磨损均衡、坏块管理、垃圾回收），保证了无错误的内存访问。 - **安全性**：支持密码保护、安全擦除、安全修剪、安全坏块管理和内置写保护，确保数据安全。 - **启动机制**：简单启动序列方法。 - **节能**：引入了睡眠功能来增强节能方法。 - **分区管理**：增强的分区管理支持。 - **硬件重置**：支持硬件重置功能。 3. **DDR SDRAM 特性：** - **双倍数据速率架构**：支持每个时钟周期两次数据传输。 - **总线宽度**：x32总线宽度。 - **供应电压**：VDD/VDDQ范围为1.7 - 1.95 V。 - **存储单元阵列**：16Mb x 4Bank x 32 I/O x 2 Die。 - **双向数据选通**（DQS）和**输入数据屏蔽信号**（DQM）。 - **输入时钟**：采用差分时钟输入（CK, /CK）。 - **模式寄存器设置**（MRS, EMRS）：符合JEDEC标准。 - **CAS延迟**：支持可编程的CAS延迟2或3。 - **突发长度**：支持可编程的突发长度2、4、8，包括顺序和交错模式。 **标签解析与知识点：** 标签 "H9DP32A4" 是与上述产品描述相关的特定标识，可能用于索引或引用该产品。 **部分内容解析与知识点：** 由于部分内容中存在OCR技术的识别错误，但可以提取的信息显示，本文档是一个通用产品描述，提供了关于H9DP32A4JJMCGR系列的e-NAND Flash和Mobile DDR的具体技术参数。文档提及了产品规格、修订历史，并且特别指出这些信息是易变的，Hynix不对其使用承担任何责任，也不隐含任何专利许可。 通过上述信息，可以总结出该文档涉及的技术知识点主要集中在CI-MCP和e-NAND Flash的封装技术、存储器接口、性能参数、电压要求、数据管理及安全特性，以及DDR SDRAM的架构特点和操作细节。这些信息对于设计和实施存储解决方案的IT专业人员非常有用。