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等离子体增强化学气相沉积PECVD综述.doc
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等离子体增强化学气相沉积PECVD综述.doc
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等离子体增强化学气相沉积-PECVD
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通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)在不同的沉积温度下制备氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)合金。 通过透射,光/暗电导率,拉曼和傅立叶变换红外(FTIR)光谱测量系统地研究了制备的a-SiGe:H合金的光学,光电性能和微观结构。 Ge原子含量进一步通过能量色散光谱法(EDS)确定,并且表面粗糙度通过原子力显微镜法(AFM)检查。 发现当沉积温度相对较高时,可以制备具有增强的光敏性(光导率与暗电
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电源技术中的应用材料公司推出等离子体强化化学气相沉积系统
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近日,应用材料公司宣布推出Applied Producer:registered: Celera:trade_mark: PECVD(等离子体强化化学气相沉积) 系统,它能实现在45纳米及更小技术节点的器件上生产速度更快的晶体管所需要达到的应力水平,是应力...
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微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱
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PECVD系统
热丝和射频等离子体化学气相沉积法制备定向碳纳米管薄膜
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激光等离子体化学气相沉积掺氢非晶硅薄膜 —— 一种新的LCVD方法
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建立了快速沉积高品质金刚石膜的热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积新方法。相对于常规冷阴极辉光放电而言,热阴极辉光放电是一种新型放电形式,具有许多新的特性,其中重要一点是具有较高的放电电流(6.0~10.0A)。较高的放电电流既是热阴极辉光放电本身的突出特点,同时对于化学气相沉积金刚石膜工艺也产生重要影响。实验研究了放电电流于金刚石膜沉积速率、表面形貌和热导率的影响,发现由于放电电流影响辉光放电的等
射频等离子体辅助化学气相沉积Ti-B-N薄膜的结构与性能 (2004年)
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研究了射频等离子体辅助化学气相沉积获得的Ti-B-N薄膜的微观组织结构和力学性能。结果表明:B的加入使Ti-B-N薄膜中出现TiN纳米晶、BN非晶和TiB2非晶(nc-TiN/a-TiBN/aTiB2)的复相结构。Ti-B-N薄膜组织致密,晶粒细小,薄膜硬度显著提高。用球盘式磨损实验考察了薄膜的摩擦学特性。与TiN相比,Ti-B-N薄膜抗磨损性能有显著提高,磨损机制为微观切削与疲劳磨损共同作用,但
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电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维射频放电及薄膜制备工艺的研究 (2012年)
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