知道了 RAM的基本结构是什么样子的,我们就下面谈谈当存储字节的过程是怎样的:
上面的示意图显示的也仅仅是最简单状态下的情况, 也就是当内存条上仅仅只有一个 RAM芯片的情况。
对于 X86处理器,它通过地址总线发出一个具有 22位二进制数字的地址编码--其中 11位是行地址,另外
11位是列地址,这是通过 RAM地址接口进行分离的。行地址解码器( row decoder )将会首先确定行地址,
然后列地址解码器( column decoder )将会确定列地址,这样就能确定唯一的存储数据的位置,然后该数
据就会通过 RAM数据接口将数据传到数据总线。
按照存储信息的不同,随机存储器又分为静态随机存储器( Static RAM,SRAM) 和动态随机存储器
(Dynamic RAM,DRAM)。
静态存储单元( SRAM)
优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作 Cache
缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大
常用的 SRAM集成芯片: 6116(2K×8位 ) ,6264(8K×8位 ) ,62256(32K×8位 ) ,2114(1K×4位 )
动态存储单元( DRAM)
优点: 集成度远高于 SRAM、功耗低,价格也低
缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较 SRAM慢,所以在计算机中, DRAM常用于作
主存储器。
由于 DRAM存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以目前已成为大容量 RAM的主
流产品。
同步动态随机存储器( SDRAM)
SDRAM是 Synchronous Dynamic RAM(同步动态随机存储器)的简称。 SDRAM将 CPU与 RAM通过一个相
同的时钟锁在一起,使 RAM和 CPU能够共享一个 时钟周期 ,以相同的速度同步工作。 SDRAM基于双存储体
结构,内含两个交错的 存储阵列 ,当 CPU从一个存储体或阵列访问数据时,另一个就已为读写数据做好了
准备,通过这两个存储阵列的紧密切换,读取效率就能得到成倍的提高。
SDRAM还有突发读 / 写功能。突发 (Burst) 是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,
连续传输所涉及到的存储单元 ( 列) 的数量就是突发长度 (Burst Lengths ,BL)。这种读 / 写方式在高速缓存、
多媒体等许多应用中非常有用。因此 SDRAM不仅可用作主存储器,在显示卡上的显存方面也有广泛应用。
非易失性存储器( Non-volatile memory)是指即使电源供应中断,存储器所存储的数据并不会消失,
重新供电后,就能够读取内存数据的存储器。主要有以下的类型:
ROM(Read-only memory,只读存储器) ,包括 PROM(Programmable ROM,可编程只读存储器) ,EPROM
(Erasable programmable ROM,可擦可编程只读存储器) ,EEPROM (Electrically erasable programmable
ROM,可电擦可编程只读存储器) ;Flash memory (闪存)。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,
整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。 ROM所存数据稳定,断电
后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。
RAM易挥发性随机存取存储器,高速存取,读写时间相等,且与地址无关,如计算机内存等。
ROM只读存储器。断电后信息不丢失,如计算机启动用的 BIOS芯片。存取速度很低, (较 RAM而言)
且不能改写。由于不能改写信息,不能升级,现已很少使用。
三.内存模组
Rank 和 Bank
为了保证 CPU的正常工作,必须一次传输完 CPU在一个传输周期内所需要的数据。而 CPU在一个传输
周期能接收的数据容量就是 CPU数据总线的位宽,单位是 bit (位)。为了能一次存储 32bit, 64bit 或者
128bit 的信息,就需要多个 8bit RAM芯片组合在一起, 我们称之为物理 Bank( Physical Bank,简称 P-bank) :
以物理 Bank 来组织存储单元,每个内存物理 Bank 的位宽同数据总线的位宽一样。
如果将物理 Bank 说成是内存颗粒阵列的话,那么逻辑 Bank 可以看做是数据存储阵列。内存内部是一
个存储阵列,指定一个行( Row),再指定一个列( Column),就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内
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