EN29LV160AB是一款由Eon Silicon Solution公司生产的16兆位NOR型Flash存储器，属于EN29LV160A系列，具有多种特点和功能。NOR Flash是一种非易失性存储技术，由Intel在1988年创建，主要用于嵌入式系统中存储代码或数据，因为它可以直接在芯片内执行代码。
该存储器的组织方式为2,097,152字节或1,048,576字，支持字节或字模式下的编程，意味着用户可以选择以8位或16位的数据宽度来访问存储器。EN29LV160AB是一款只需3.0伏单电源操作的CMOS器件，这有助于降低系统级别的功耗需求。
它拥有高速的访问时间，最短可达到70纳秒，从而消除了在高性能微处理器系统中使用等待状态（WAIT states）的需要。该存储器具有高灵活性的扇区架构，包括16-K字节、8-K字节、32-K字节及64-K字节的扇区，在字模式下分别对应8-K字、4-K字、16-K字和32-K字。这种灵活的扇区架构允许更细致地控制存储区域，适用于多种不同的应用需求。
EN29LV160AB还具备扇区保护功能，通过硬件锁定扇区来防止在个别扇区内进行编程或擦除操作。同时，它提供临时扇区组取消保护的机制，允许修改之前锁定扇区中的代码。该功能对于需要频繁更新代码但又要求高安全性的嵌入式应用非常有用。
在编程和擦除速度方面，EN29LV160AB拥有高性能的编程/擦除速度，其中字节/字编程时间为8微秒典型值，扇区擦除时间为500毫秒典型值，芯片擦除时间为17.5秒典型值。这些速度使得它能够快速响应需求，适合频繁写入和更新数据的应用。
EN29LV160AB遵循JEDEC标准的编程和擦除命令，支持JEDEC标准的数据#轮询和切换位功能，方便软件识别存储器的编程和擦除状态。它还支持单扇区和芯片擦除，嵌入式擦除和编程算法，以及在擦除暂停模式下读取和编程另一个扇区的能力。
该芯片采用三金属层双多晶层三阱CMOS闪存技术制造，具有低至2.5伏的低Vcc写入禁止功能，保证了写入操作的稳定性。EN29LV160AB的耐久性极佳，每个扇区的编程/擦除耐循环次数最小为1,000,000次。
在封装选项方面，EN29LV160AB提供了48脚TSOP（Type1）和48球6mm x 8mm FBGA两种封装方式。此外，它还支持商业和工业温度范围，这使得EN29LV160AB能够适应不同温度环境，应用范围更加广泛。
总而言之，EN29LV160AB是一款性能优越、功能丰富、适应性强的NOR Flash存储器，适用于各种复杂和要求严苛的嵌入式系统。通过了解这些知识点，我们可以更深入地认识到EN29LV160AB在高性能嵌入式应用中的重要性和应用价值。
